Důležitým vylepšením specifikací, které Samsung zřejmě zavádí u všech modelů Galaxy S25, je standardní velikost paměti RAM 12 GB pro celou řadu, oproti 8 GB u řady Galaxy S24. Tato změna bude významná pro efektivní běh umělé inteligence na zařízení a multitasking, ale podle nejnovější zprávy není zvýšení počtu pamětí RAM jediným vylepšením, které korejský gigant přináší.

Podle nejnovějších informací si všechny modely Galaxy S25 zachovají podporu pamětí LPDDR5X, ale tyto čipy budou masově vyráběny na vylepšené litografii, což povede ke zvýšení efektivity a výkonu.

Qualcomm Snapdragon 8 Elite není jedinou komponentou, kterou Samsung využije při oficiálním představení své řady Galaxy S25. Elec uvádí, že společnost bude od společnosti Micron odebírat také 12nm čipy LPDDR5X RAM. Litografie se zlepšila z 13nm na 12nm, což přináší pozitivní změny ve výkonu, účinnosti a ploše. Pokud jde o důvod, proč Samsung do rodiny Galaxy S25 nezařadí vlastní 12nm čipy LPDDR5X RAM, zpráva zmiňuje, že se technologie korejského giganta potýkala s problémy s přehříváním, což jej donutilo zajistit počáteční dodávky od společnosti Micron.

Ačkoli Samsung údajně problém vyřešil, bylo nutné zajistit počáteční dodávky od třetí strany, jinak by společnost byla nucena odložit uvedení Galaxy S25 na trh a ztratit jakoukoli výhodu. Získávání zdrojů od více dodavatelů je praxe, kterou uplatňuje několik společností, aby nenarušily dodavatelský řetězec a také aby si zvýšením konkurence zajistily lepší ceny komponent.

Samsung bohužel v této oblasti zaostává, a proto bude jeho řada Galaxy S25 uvedena na trh výhradně s procesorem Snapdragon 8 Elite a nebude obsahovat Exynos 2500. Chystané vlajkové lodě mají být oznámeny 22. ledna a tehdy budeme mít pro naše čtenáře další podrobnosti, takže zůstaňte s námi.

ZANECHAT ODPOVĚĎ

Zadejte svůj komentář!
Zde prosím zadejte své jméno